1、集成電路生產制造與芯片生產設備
芯片的制造過程可概括分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測工序（WafERProbe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個步驟，其中芯片制造工藝主要在晶圓處理工序過程中，其主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作，芯片制造工藝過程涉及復雜化學和物理過程，工藝參數(shù)設計在生產過程中起到關鍵作用。而芯片制造工藝多在工藝腔室中進行。工藝腔室是IC設備的核心部件，集成電路芯片的質量不僅與工藝參數(shù)設計有關，也與腔室設計密切相關。
隨著集成電路的工藝過程需要不斷更新?lián)Q代，新的工藝要求提出，必須設計相應的腔室結構，所以快速設計能力是提高IC工業(yè)的核心競爭力。工藝腔室設計包含多個學科領域知識，例如靜電卡盤（E-chuck）、上下電極、磁電管、氣體噴射系統(tǒng)、濺射系統(tǒng)以及加熱溫控系統(tǒng)等設計，射頻電源、渦輪泵等選型，硅片上薄膜的生長機理，以及多種工藝氣體的混合流動及相關化學反應等。
集成仿真、設計、試驗的IC裝備研發(fā)平臺是提高IC生產裝備研發(fā)能力的必要工具。
2、集成電路生產工藝模擬與建模仿真軟件測試需要解決的問題
（1）提高仿真結果正確性以及計算速度。仿真準確性依賴于機理的正確性。等離子體與其他環(huán)境材料的交互機理非常復雜，深入研究其相互作用機理是仿真正確性的基本保證，試驗是研究作用機理的根本途徑。因此需要研發(fā)在多種工藝條件下關鍵等離子體參數(shù)的診斷技術，包括電子密度、電子溫度及重要組分的密度。
（2）目前的IC裝備設計主要是基于豐富的經驗，同時通過仿真測試關鍵部件的可行性，例如CFD（計算流體動力學）仿真預測流體分布模式、等離子體仿真預測等離子體均勻性等、化學反應、等離子體中離子和原子的分離與重新結合等。仿真的重要性在于提供仿真結果以比較幾種方案或部件的性能。
（3）IC裝備的工藝過程包含電、磁、流、固、熱等多物理場耦合，其動力學效應影響光刻機系統(tǒng)對準精度和運動精度
（4）腔室中的工藝過程涉及復雜的物理、化學現(xiàn)象，工藝過程仿真可以定量或定性地直觀觀測腔室中溫度、流場、磁場、電場、分子、原子、等離子體的狀態(tài)及器件形貌，為工藝參數(shù)設計以及腔室結構設計提供參考依據(jù)。另一方面，仿真的準確性需要試驗數(shù)據(jù)驗證，多場模型也需要實驗數(shù)據(jù)校正。此外，工藝參數(shù)不同需要對腔室結構要求不同。因此需要變結構腔室實驗臺，以提供多種工藝過程和工藝參數(shù)試驗。
3、集成電路生產工藝模擬與建模仿真軟件測試具體測試過程
（1）集成電路生產工藝模擬、建模、仿真過程
針對企業(yè)的技術需求，以企業(yè)具體PVD、PECVD、LPCVD、高溫擴散爐和刻蝕機臺產品的工藝腔室、射頻電路、E-Chuck為原型，定制對應設備、腔室的模板，進行幾何建模、網格剖分、算法設置及計算，設計優(yōu)化和實驗設計。
（2）對應軟件測試過程
運行定制的模板，測試幾何建模、網格剖分、算法設置及計算模塊，測試基本分析功能包括參數(shù)化輸入功能、順序執(zhí)行流程、仿真流程中數(shù)據(jù)文件傳遞，實驗設計功能，優(yōu)化分析功能，程序結果文件管理功能是否符合功能要求。
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本文標題：集成電路生產工藝模擬與建模仿真軟件測試
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